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發(fā)布時間:2024-11-25 15:41:28   來源:德州市陵城區(qū)安晶環(huán)保設(shè)備有限公司   閱覽次數(shù):86次   

目前碳化硅的拋光方法主要有:機械拋光、磁流變拋光、化學(xué)機械拋光(CMP)、電化學(xué)拋光(ECMP)、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕(CACP/CARE)、摩擦化學(xué)拋光(TCP,又稱無磨料拋光)和等離子輔助拋光()等?;瘜W(xué)機械拋光(CMP)技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段,也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法,是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術(shù)。CMP的加工效率主要由工件表面的化學(xué)反應(yīng)速率決定。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響,結(jié)果表明:旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大;溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速,雖然增加拋光壓力也可提高去除速率,但容易損壞拋光墊。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色。松江區(qū)碳化硅一般多少錢

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該電爐所用的燒成方法俗稱:埋粉燒成。它一通電即為加熱開始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達(dá)到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成),且放出CO。。然而,≥2600℃時SiC會分解,但分解出的Si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器,但生產(chǎn)時只對單一電爐供電,以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來基本上保持恒功率,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束,再經(jīng)過一段時間的冷卻就可以拆除側(cè)墻,然后逐步取出爐料。奉賢區(qū)碳化硅哪個好通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物。

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但要注意:它與天然金剛砂(石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專門用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。

利用良好的導(dǎo)熱和熱穩(wěn)定性,作熱交換器,燃耗減少20%,節(jié)約燃料35%,使生產(chǎn)率提高20-30%,特別是礦山選廠用排放輸送管道的內(nèi)放,其耐磨程度是普通耐磨材料的6-7倍。磨料粒度及其組成按GB/T2477--83。磨料粒度組成測定方法按GB/T2481--83。合成碳化硅(Synthetic Moissanite)又名合成莫桑石、合成碳硅石(化學(xué)成分SiC),色散0.104,比鉆石(0.044)大,折射率2.65-2.69(鉆石2.42),具有與鉆石相同的金剛光澤,“火彩”更強,比以往任何仿制品更接近鉆石。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,只次于世界上較硬的金剛石(10級)。

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純碳化硅為無色,而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)越石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。碳化硅可以稱為金鋼砂或耐火砂。嘉定區(qū)碳化硅批發(fā)哪家好

在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,不少人試著用它來取代硅。松江區(qū)碳化硅一般多少錢

與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,非常適合于高壓應(yīng)用,如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機。另外,SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標(biāo)均優(yōu)于硅,其禁帶寬度幾乎是硅的3倍,理論工作溫度可達(dá)600℃,遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高,應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下),碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下),比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機效率。松江區(qū)碳化硅一般多少錢

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